诺基亚携三菱电机等开发全球首个超快GaN包络追踪功率放大器:PP电子官网
发布时间:2023-11-16 人浏览
本文摘要:据外媒报导,三菱电机公司、诺基亚贝尔实验室和加州圣地亚哥无线通信中心日前宣告,他们共同开发了世界上第一个超高速氮化镓(GaN)正弦跟踪功率放大器,能反对高达80MHz的调制比特率,预计还能减少下一代无线基站的能耗。
据外媒报导,三菱电机公司、诺基亚贝尔实验室和加州圣地亚哥无线通信中心日前宣告,他们共同开发了世界上第一个超高速氮化镓(GaN)正弦跟踪功率放大器,能反对高达80MHz的调制比特率,预计还能减少下一代无线基站的能耗。合作各方预计将在2017年6月4日至9日在美国夏威夷檀香山举办的IEEEMTT国际微波研讨会(IMS)期间讲解明确的技术细节。为了符合大大快速增长的无线容量市场需求,移动技术于是以逐步改向用于简单调制信号的下一代系统,这种系统具备较小的峰均功率比(PAPR)和超宽调制比特率。
这将必须功率放大器大部分时间在近高于其饱和状态水平的承托电力准位下运营。一般来说情况下,功率放大器在饱和状态功率水平左右构建高效率;但是在4GLTE*信号(6dBPAPR)的情况下,承托电力准位的效率明显减少。行业目前早已对正弦跟踪功率放大器展开了普遍研究,以提升功率放大器的效率;但是到目前为止,电源调制器电路早已沦为容许高级无线通信(如LTE-Advanced)的调制比特率的瓶颈。
新的研发的超强较慢GaN正弦跟踪功率放大器构建了最先进设备的性能,部分归咎于三菱电机的高频GaN晶体管技术和GaN电源调制器电路的创意设计。用于诺基亚贝尔实验室的动态数字实杂讯(DPD)系统,即使使用80MHz调制LTE信号,该功率放大器也表明出有了较高的运营效率,这是截至2017年5月19日,全球最长的调制比特率。
本文来源:PP电子官网-www.jaeynet.com